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SIHG30N60EGE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SIHG30N60EGE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247

    기술자료


     




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    1829792361SIHG30N60EGE3VISHAYvishay
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    1822872607SIHG30N60E-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247
    		490

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    1824215196SIHG30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247
    		1621

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    213366658SIHG30N60EGE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.
    		500

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    		 업데이트: 2024-01-04



    211401715SIHG30N60E-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
    		40

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    211401716SIHG30N60E-GE3Vishay IntertechnologiesPower MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.104 ohm,
    		0

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     업데이트: 2024-01-04






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current29 A
    Maximum Drain Source Voltage600 VPackage TypeTO-247AC
    Mounting TypeThrough HolePin Count3
    Maximum Drain Source Resistance125 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation250 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1
    Width5.31Length15.87
    Typical Gate Charge @ Vgs85 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CSeriesE Series
    Height20.82







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