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SIHG22N60E-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SIHG22N60E-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

    기술자료
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    2364080
    SIHG22N60E-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247
    785

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    211411704SIHG22N60E-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
    262

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    212365766SIHG22N60EGE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.
    500

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    1829792354SIHG22N60E-GE3VISHAYMOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current21 A
    Maximum Drain Source Voltage600 VPackage TypeTO-247AC
    Mounting TypeThrough HolePin Count3
    Maximum Drain Source Resistance185 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation227 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Number of Elements per Chip1Maximum Operating Temperature+150 °C
    Length15.87Width5.31
    Typical Gate Charge @ Vgs57 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Height20.82Minimum Operating Temperature-55 °C
    SeriesE Series







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