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SIHG17N60D-GE3
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제품정보
대표부품번호:

SIHG17N60D-GE3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET, N-CH, 600V, 17A, TO-247AC

기술자료
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211407867SIHG17N60D-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
243

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 업데이트: 2023-01-05

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25~4,991 (5,490)
100~4,323 (4,755)
500~3,569 (3,926)
1000~3,484 (3,832)
2500~3,442 (3,786)



212385609SIHG17N60DGE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.
500

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1822872126SIHG17N60D-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N-CH, 600V, 17A, TO-247AC
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제품스펙
Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current17 A
Maximum Drain Source Voltage600 VPackage TypeTO-247AC
Mounting TypeThrough HolePin Count3
Maximum Drain Source Resistance340 mΩChannel ModeEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage3Maximum Power Dissipation277.8 W
Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1Width5.31
Length15.87Maximum Operating Temperature+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs45.6 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
Height20.82SeriesD Series
Minimum Operating Temperature-55 °C







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