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SI1012CR-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI1012CR-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N CH, W/D, 20V, 0.5A, SC75A

    기술자료
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    210430328SI1012CR-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
    3

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    1826857247SI1012CR-T1-GE3VISHAYMOSFET, N CH, W/D, 20V, 0.5A, SC75A
    36000

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    3879340
    SI1012CR-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 20V, 0.63A, SC-75A
    39000

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    213349031SI1012CR-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMosfet, N-Ch, 20V, 0.63A, Sc-75A Rohs Compliant:
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    2056674
    SI1012CR-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N CH, W/D, 20V, 0.5A, SC75A
    34347

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    213349030SI1012CR-T1-GE3VISHAY SILICONIX
    84000

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    30000~118 (130)
    75000~100 (110)



    210430326SI1012CR-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
    4452

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    1000~154 (169)



    1824220939SI1012CR-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
    187266

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    1000~153 (168)
    3000~134 (147)
    9000~119 (131)
    24000~116 (128)



    212348419SI1012CR-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
    21000

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    1834541878SI1012CR-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)N-Channel 20 V 0.396 Ohm 0.24 W Surface Mount Mosfet - SC-75A
    0

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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current630 mA
    Maximum Drain Source Voltage20 VPackage TypeSC-75
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance1.1 ΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage0.4Maximum Power Dissipation240 mW
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
    Width0.86Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength1.68
    Typical Gate Charge @ Vgs1.3 nC @ 8 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.8







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