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| 제품스펙 |
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- MOSFET, N-CH, 60V, 27A, TO-252
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:27A
- Drain Source Voltage Vds:60V
- On Resistance Rds(on):0.032ohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
- Threshold Voltage Vgs:4V
- Power Dissipation Pd:62.5W
- Transistor Ca
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| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Channel Type | N | Maximum Continuous Drain Current | 24 A | | Maximum Drain Source Voltage | 60 V | Package Type | DPAK (TO-252) | | Mounting Type | Surface Mount | Pin Count | 3 | | Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ | Channel Mode | Enhancement | | Maximum Gate Threshold Voltage | 4 | Maximum Power Dissipation | 62.5 W | | Transistor Configuration | Single | Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | | Length | 6.73 | Transistor Material | Si | | Number of Elements per Chip | 1 | Maximum Operating Temperature | +175 °C | | Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Width | 6.22 | | Minimum Operating Temperature | -55 °C | Height | 2.38 | |
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