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FDC6318P
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제품정보
대표부품번호:

FDC6318P

대표브랜드: ON SEMICONDUCTOR
대표부품설명: FDC6318P Dual P-Channel MOSFET, 2.5 A, 12 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor

기술자료
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212531240FDC6318PONSEMITrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
18000

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15000~540 (594)
24000~534 (587)
30000~529 (582)



1829698185FDC6318PON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
2852

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 업데이트: 2024-05-31

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1611390
FDC6318PFARCHILDMOSFET, PP
6935

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10~878 (966)
100~647 (712)
500~522 (574)
1000~444 (488)



212531242FDC6318PONSEMIMOSFET Transistor, Dual P Channel, 2.5 A, -12 V,
배송비5만원 최소주문5만원t
6000

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50~1,073 (1,180)
100~974 (1,071)
250~872 (959)
500~769 (846)



1822855711FDC6318PFAIRCHILDMOSFET, PP
3000

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1822492783FDC6318PFAIRCHILDMOSFET, PP
5727

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500~655 (721)
1000~524 (576)



150752652FDC6318PFAIRCHILDMOSFET, PP
18225

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1~1,268 (1,395)
10~1,118 (1,230)
100~858 (944)
500~677 (745)
1000~542 (596)
3000~490 (539)



212531241FDC6318PONSEMITrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
18000

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1834284187FDC6318PFAIRCHILD (ON SEMICONDUCTOR)Dual P-Channel 12 V 90 mOhm 1.8V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6
0

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제품스펙
Channel TypePMaximum Continuous Drain Current2.5 A
Maximum Drain Source Voltage12 VPackage TypeSOT-23
Mounting TypeSurface MountPin Count6
Maximum Drain Source Resistance200 mΩChannel ModeEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage0.4Maximum Power Dissipation960 mW
Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip2
Width1.7Length3
Typical Gate Charge @ Vgs5.4 nC @ 4.5 VTransistor MaterialSi
Minimum Operating Temperature-55 °CSeriesPowerTrench
Height1







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