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SIHG20N50C-E3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SIHG20N50C-E3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO247

    기술자료
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    1779257
    SIHG20N50C-E3VISHAYMOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO247
    13

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    1171
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    1829109677SIHG20N50C-E3VISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 11A; 250W; TO247AC
    307

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    212369418SIHG20N50C-E3VISHAY SILICONIXMOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
    9620

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    152454496SIHG20N50C-E3Vishay/SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
    원산지 : CN
    7611

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    1831681857SIHG20N50C-E3VISHAYN-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SIHG20N50C-E3
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    1827145185
    생산용 포장
    SIHG20N50C-E3VISHAYMOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO247
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    1826608073SIHG20N50C-E3VISHAYMOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO247
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    210973253SIHG20N50C-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
    1925

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    212369419SIHG20N50CE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.
    275

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    210973251SIHG20N50C-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
    38

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    211417734SIHG20N50C-E3VISHAY SILICONIXSIHG20N50C-E3 N-channel MOSFET Transistor, 20 A,
    32

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    210973252SIHG20N50C-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 500V, 20A, TO-247AC-3, Transi
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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current20 A
    Maximum Drain Source Voltage500 VPackage TypeTO-247AC
    Mounting TypeThrough HolePin Count3
    Maximum Drain Source Resistance270 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage3Maximum Power Dissipation250 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
    Width5.31Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength15.87
    Typical Gate Charge @ Vgs65 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight20.82







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