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SI4464DY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4464DY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET Small Signal 200V 2.2A 2.5W 240mohm @ 10V

    기술자료
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    3772756
    		SI4464DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 200V, 1.7A, SOIC
    		4806

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     업데이트: 2024-06-13

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    100~1,317 원 (1,449 원)
    500~1,116 원 (1,228 원)
    1000~1,032 원 (1,135 원)
    5000~981 원 (1,079 원)



    213497249SI4464DY-T1-GE3VISHAY SILICONIX
    		3150

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    100~1,261 원 (1,387 원)
    500~1,069 원 (1,176 원)
    1000~871 원 (958 원)
    2500~820 원 (902 원)
    5000~781 원 (859 원)



    152453406SI4464DY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET Small Signal 200V 2.2A 2.5W 240mohm @ 10V
    		11143

    해외 재고
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     업데이트: 2024-06-13

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    10~1,853 원 (2,038 원)
    100~1,438 원 (1,582 원)
    500~1,219 원 (1,341 원)
    1000~1,072 원 (1,179 원)



    212524265SI4464DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
    		67500

    해외 재고
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     업데이트: 2024-06-13



    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위    		수량별 판매단가
    （부가세 포함가)    		주문수량주문/견적
    1834418211SI4464DY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)N-Channel 200 V 0.240 Ohm 1.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
    		0

    해외 재고
    		실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current1.7 A
    Maximum Drain Source Voltage200 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance240 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation1.5 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width4Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength5
    Typical Gate Charge @ Vgs12 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.55







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