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SI4463BDY-T1-E3
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제품정보
대표부품번호:

SI4463BDY-T1-E3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

기술자료
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1497616
SI4463BDY-T1-E3VISHAY SILICONIXMOSFET, P, SOIC
3652

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1700713510SI4463BDY-T1-E3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
7500

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210610902SI4463BDY-T1-E3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
2792

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150199088SI4463BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm
15236

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500~1,413 (1,554)
1000~1,168 (1,285)
2500~1,107 (1,218)



210773955SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
2404

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213140300SI4463BDYT1E3Vishay Intertechnologies
1365

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1834418206SI4463BDY-T1-E3SILICONIX (VISHAY)Single P-Channel 20 V 0.011 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
0

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 업데이트: 2023-08-06






제품스펙
Transistor PolarityP Channel Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source Voltage Vds-20V On Resistance Rds(on)0.0085ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs12V Threshold Voltage Vgs-1.4V
Power Dissipation Pd1.5W Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins Operating Temperature Max150°C
Product Range- Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Base Number4463 Current Id Max13.7A
On State Resistance @ Vgs = 2.5V20mohm On State Resistance @ Vgs = 4.5V14mohm
On State resistance @ Vgs = 10V11mohm Operating Temperature Min-55°C
Operating Temperature Range-55°C to +150°C P Channel Gate Charge37nC
PackagingCut Tape Termination TypeSurface Mount Device
Voltage Vds Typ-20V Voltage Vgs Max-1.4V
Voltage Vgs Rds on Measurement-10V







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