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SI4435DY
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4435DY

    대표브랜드: ON SEMICONDUCTOR
    대표부품설명: MOSFET, P CHANNEL0, -30V, -8.8A, SOIC

    기술자료
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    213209109SI4435DYONSEMITrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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    1825893516SI4435DYFAIRCHILDTRANSISTOR, MOSFET
    2900

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    1653655
    SI4435DYFARCHILDTRANSISTOR, MOSFET
    17739

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    5000~515 (567)



    1829109510SI4435DYON SEMICONDUCTORTransistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
    2176

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    1700708628SI4435DYFAIRCHILDMOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
    2500

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    1700708658SI4435DYFAIRCHILDMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
    346

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    150156467SI4435DYFAIRCHILDTRANSISTOR, MOSFET
    3666

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    5000~583 (641)



    1831680987SI4435DYON SEMICONDUCTORSI4435DY P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
    4910

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    1827144646
    생산용 포장
    SI4435DYFARCHILDSI4435DY P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
    4910

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    1827144647SI4435DYFARCHILDP-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi SI4435DY
    80

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    213209110SI4435DYONSEMITrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
    10000

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    213209113SI4435DYFairchild Semiconductor Corporation
    3380

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    213209112SI4435DYONSEMI
    400

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    1834542046SI4435DYFAIRCHILD (ON SEMICONDUCTOR)P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
    0

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     업데이트: 2023-08-25






    제품스펙
    ManufactureronsemiPackagingCut Tape (CT)
    Part StatusActiveFET TypeP-Channel
    TechnologyMOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss)30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8.8A, 10VVgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 5VVgs (Max)±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1604pF @ 15VFET Feature-
    Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting TypeSurface MountSupplier Device Package8-SOIC
    Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Base Part NumberSI4435







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