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SI2337DS-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI2337DS-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236

    기술자료
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    3879346
    SI2337DS-T1-GE3VISHAYMOSFET, P-CH, 80V, 2.2A, SOT-23
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    1829537516SI2337DS-T1-GE3VISHAYMOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236
    9000

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    2101437
    SI2337DS-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236
    15272

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    1837003595SI2337DS-T1-GE3VISHAYTransistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
    4707

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    1829988457SI2337DS-T1-GE3VISHAYTrans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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    210852760SI2337DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, 80V, 2.2A, TO-236, Transistor Pola
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    210367369SI2337DS-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
    2057

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    152466491SI2337DS-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236
    34849

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    1831680870SI2337DS-T1-GE3VISHAYSI2337DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 1.75 A, 80 V, 3-Pin SOT-23 Vishay
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    1827144582
    생산용 포장
    SI2337DS-T1-GE3VISHAYSI2337DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 1.75 A, 80 V, 3-Pin SOT-23 Vishay
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    1826607457SI2337DS-T1-GE3VISHAYSI2337DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 1.75 A, 80 V, 3-Pin SOT-23 Vishay
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    210852759SI2337DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
    6000

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    1834120320SI2337DS-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single P-Channel 80 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
    0

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    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current1.75 A
    Maximum Drain Source Voltage80 VPackage TypeSOT-23
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance303 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation2.5 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width1.4Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength3.04
    Typical Gate Charge @ Vgs11 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-50 °CHeight1.02







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