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| 제품스펙 |
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- MOSFET, P, TO-220
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:80A
- Drain Source Voltage Vds:55V
- On Resistance Rds(on):18mohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
- Threshold Voltage Vgs:-3V
- Power Dissipation Pd:300W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Operating Temperature Max:175°C
- MSL:-
- SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
- Current Id Max:80A
- Current Temperature:25°C
- Full Power Rating Temperature:25°C
- Lead Spacing:2.54mm
- No. of Transistors:1
- Operating Temperature Min:-55°C
- Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Voltage Vds Typ:-55V
- Voltage Vgs Max:3V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
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단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Channel Type | P | Maximum Continuous Drain Current | 80 A | | Maximum Drain Source Voltage | 55 V | Package Type | TO-220 | | Mounting Type | Through Hole | Pin Count | 3 | | Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ | Channel Mode | Enhancement | | Maximum Gate Threshold Voltage | 4 | Minimum Gate Threshold Voltage | 2 | | Maximum Power Dissipation | 300 W | Transistor Configuration | Single | | Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | Typical Gate Charge @ Vgs | 190 nC @ 10 V | | Transistor Material | Si | Maximum Operating Temperature | +175 °C | | Length | 10.4 | Width | 4.6 | | Number of Elements per Chip | 1 | Height | 9.15 | | Series | STripFET | Minimum Operating Temperature | -55 °C | | Priced to Clear | Yes |
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