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IRFP250PBF
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    제품정보
    대표부품번호:

    IRFP250PBF

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC

    기술자료
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    1824902968IRFP250PBFVISHAYMOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
    		945

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    1829656536IRFP250PBFVISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
    		195

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    8649278
    		IRFP250PBFVISHAY SEMICONDUCTORMOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
    		324

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    1000~2,485 원 (2,734 원)



    212384169IRFP250PBFVishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 200V, 30A, TO-247, Channel Typ
    배송비5만원 최소주문5만원t    		434

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    60119841IRFP250PBFVishay/SiliconixMOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
    		3002

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    150181555IRFP250PBFVishay/SiliconixMOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
    		11920

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    1705559493
    생산용 포장    		IRFP250PBFVISHAYIRFP250PBF N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC Vishay
    		455

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    1705559492IRFP250PBFVISHAYIRFP250PBF N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC Vishay
    		25

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    10~4,768 원 (5,245 원)
    15~4,695 원 (5,165 원)



    1831565618IRFP250PBFVISHAYIRFP250PBF N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC Vishay
    		455

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    100~4,945 원 (5,440 원)



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    1834303701IRFP250PBFSILICONIX (VISHAY)Single N-Channel 200 V 0.085 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
    		0

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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current30 A
    Maximum Drain Source Voltage200 VPackage TypeTO-247AC
    Mounting TypeThrough HolePin Count3
    Maximum Drain Source Resistance85 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation190 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Length15.87Transistor MaterialSi
    Number of Elements per Chip1Maximum Operating Temperature+150 °C
    Typical Gate Charge @ Vgs140 nC @ 10 VWidth5.31
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight20.7







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