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SIHB33N60E-GE3
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제품정보
대표부품번호:

SIHB33N60E-GE3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK

기술자료
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2364072
SIHB33N60E-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK
510

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212589956SIHB33N60E-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
3856

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1829989011SIHB33N60E-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK
0

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 업데이트: 2023-02-21






제품스펙
Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current33 A
Maximum Drain Source Voltage600 VPackage TypeD2PAK (TO-263)
Mounting TypeSurface MountPin Count3
Maximum Drain Source Resistance99 mΩChannel ModeEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation278 W
Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Length10.67Maximum Operating Temperature+150 °C
Transistor MaterialSiTypical Gate Charge @ Vgs100 nC @ 10 V
Width9.65Number of Elements per Chip1
SeriesE SeriesHeight4.83
Minimum Operating Temperature-55 °CForward Diode Voltage1.2







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