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| 제품스펙 |
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- MOSFET, N, 600V, D-PAK
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:1.8A
- Drain Source Voltage Vds:600V
- On Resistance Rds(on):2.7ohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
- Threshold Voltage Vgs:4.5V
- Power Dissipation Pd:25W
- Transistor Case Style:TO-252
- No. of Pins:3Pins
- Operating Temperature Max:150°C
- Product Range:-
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
- Current Id Max:1.8A
- Operating Temperature Min:-55°C
- Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
- Packaging:Cut Tape
- Pulse Current Idm:3.2A
- Termination Type:Surface Mount Device
- Voltage Vds:600V
- Voltage Vds Typ:600V
- Voltage Vgs Max:20V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
고객이 수령하시는 날 기준입니다 |
| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Channel Type | N | Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A | | Maximum Drain Source Voltage | 600 V | Package Type | TO-252 | | Mounting Type | Surface Mount | Pin Count | 3 | | Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω | Channel Mode | Enhancement | | Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5 | Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5 | | Maximum Power Dissipation | 25 W | Transistor Configuration | Single | | Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | Transistor Material | Si | | Maximum Operating Temperature | +150 °C | Number of Elements per Chip | 1 | | Typical Gate Charge @ Vgs | 7.3 nC @ 10 V | Width | 6.22 | | Length | 6.5 | Series | CoolMOS S5 | | Minimum Operating Temperature | -55 °C | Height | 2.3 | |
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