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FQD13N10LTM
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    제품정보
    대표부품번호:

    FQD13N10LTM

    대표브랜드: ON SEMICONDUCTOR
    대표부품설명: MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-252AA-3

    기술자료
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    1829930879FQD13N10LTMON SEMICONDUCTORTransistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; D
    5000

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    1828183778FQD13N10LTMFairchild/ON SemiconductorMOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-252AA-3
    1745

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    2454167
    FQD13N10LTMFARCHILDMOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-252AA-3
    10993

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     업데이트: 2024-02-14

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    1000~415 (457)



    213317868FQD13N10LTMONSEMIMosfet, N Ch, 100V, 10A, To-252Aa-3, Channel Typ
    배송비5만원 최소주문5만원t
    11013

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    213340409FQD13N10LTMONSEMI
    2500

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    25000~322 (354)



    212283206FQD13N10LTMONSEMIMOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    2290

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    100~586 (645)
    500~489 (538)
    1000~417 (459)



    150170697FQD13N10LTMFAIRCHILDMOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-252AA-3
    19505

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    10~845 (930)
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    500~523 (575)
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    2500~373 (410)
    5000~353 (388)



    211220925FQD13N10LTMONSEMITrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    5000

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    1834506407FQD13N10LTMFAIRCHILD (ON SEMICONDUCTOR)N-Channel 100 V 10 A 180 mOhm QFET® Mosfet - DPAK-3
    0

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     업데이트: 2023-12-26






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current10 A
    Maximum Drain Source Voltage100 VPackage TypeDPAK (TO-252)
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance180 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1Maximum Power Dissipation2.5 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1
    Width6.1Length6.6
    Typical Gate Charge @ Vgs8.7 nC @ 5 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CSeriesQFET
    Height2.3







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