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IRF740APBF
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    제품정보
    대표부품번호:

    IRF740APBF

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: N CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220

    기술자료
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    210883785IRF740APBFVishay IntertechnologiesMOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 400 V, 550 mo
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    1829385783IRF740APBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220
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    1829061600IRF740APBFVISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
    		967

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    1824870186IRF740APBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220
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    1829935983IRF740APBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220
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    8648468
    		IRF740APBFVISHAY SEMICONDUCTORMOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
    		2667

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    60119463IRF740APBFVISHAY SILICONIXMOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
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    150182912IRF740APBFVISHAYMOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
    		2616

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    1831565161IRF740APBFVISHAYIRF740APBF N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
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    1705450877
    생산용 포장    		IRF740APBFVISHAYIRF740APBF N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
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    1705450876IRF740APBFVISHAYIRF740APBF N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
    		117

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    21103375
    생산용 포장    		IRF740APBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220
    배송비3만원 30만원무료배송    		166

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    210883786IRF740APBFVishay IntertechnologiesMOSFET 400V N-CH HEXFET
    		1250

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    212097796IRF740APBFVishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    		1144

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    213407369IRF740APBFVISHAY SILICONIXPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.
    		150

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    1834508932IRF740APBFSILICONIX (VISHAY)Single N-Channel 400 V 0.55 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
    		0

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    제품스펙
    Maximum Power Dissipation125 WTransistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 VTypical Gate Charge @ Vgs36 nC @ 10 V
    Transistor MaterialSiNumber of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CWidth4.7
    Length10.41Minimum Operating Temperature-55 °C
    Height9.01Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current10 AMaximum Drain Source Voltage400 V
    Package TypeTO-220ABMounting TypeThrough Hole
    Pin Count3Maximum Drain Source Resistance550 mΩ
    Channel ModeEnhancementMinimum Gate Threshold Voltage2







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