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IRFP440PBF
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    제품정보
    대표부품번호:

    IRFP440PBF

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: N CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247

    기술자료
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    1825676453IRFP440PBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247
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    1834303739IRFP440PBFSILICONIX (VISHAY)Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
    배송비5만원    		775

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    1829386324IRFP440PBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247
    		90

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    1836980372IRFP440PBFVISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
    		8

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    1825726052IRFP440PBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247
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    3772701
    		IRFP440PBFVISHAYMOSFET, N-CH, 500V, 8.8A, TO-247
    		367

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    1829386325IRFP440PBFVISHAYN CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247
    		23

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    211491846IRFP440PBFVishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 500V, 8.8A, TO-247 ROHS COMPLIANT:
    배송비5만원 최소주문5만원t    		482

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    60119866IRFP440PBFVishay/SiliconixN CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247
    		366

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    150181452IRFP440PBFVishay SemiconductorsN CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247
    		299

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    1827082716
    생산용 포장    		IRFP440PBFVISHAYIRFP440PBF N-Channel MOSFET, 8.8 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC Vishay
    		6

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    1831565659IRFP440PBFVISHAYMOSFET N-Channel 500V 8.8A TO247AC
    		6

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    212570026IRFP440PBFINTERNATIONAL RECTIFIERPower Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 500V, 0
    		1900

    해외 재고
    		 업데이트: 2023-02-18



    212570025IRFP440PBFVishay IntertechnologiesMOSFET 500V N-CH HEXFET
    		600

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    211491845IRFP440PBFVishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
    		475

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    1836689846IRFP440PBFSILICONIX (VISHAY)SILICONIX (VISHAY)
    		0

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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current8.8 A
    Maximum Drain Source Voltage500 VPackage TypeTO-247AC
    Mounting TypeThrough HolePin Count3
    Maximum Drain Source Resistance850 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation150 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width5.31Length15.87
    Number of Elements per Chip1Maximum Operating Temperature+150 °C
    Transistor MaterialSiTypical Gate Charge @ Vgs63 nC @ 10 V
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight20.7







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