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IRF9630SPBF
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    제품정보
    대표부품번호:

    IRF9630SPBF

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: P CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK

    기술자료
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    212266139IRF9630SPBFVishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, -200V, -6.5A, TO-263AB, Transistor
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    1825064843IRF9630SPBFVISHAYP CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
    		3000

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    2500~710 원 (781 원)



    1836980349IRF9630SPBFVISHAYTransistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK
    		227

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    1829750895IRF9630SPBFVISHAYP CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
    		6180

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    2000~1,540 원 (1,694 원)



    2646351
    		IRF9630SPBFVISHAYMOSFET, P-CH, -200V, -6.5A, TO-263AB
    		2925

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    1828201579IRF9630SPBFVISHAY SEMICONDUCTORP CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
    		448

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    150182626IRF9630SPBFVishay/SiliconixP CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
    		2503

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    100~3,290 원 (3,619 원)
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    1000~2,228 원 (2,451 원)
    2000~2,168 원 (2,385 원)



    212351767IRF9630SPBFVishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
    		6180

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     업데이트: 2022-12-25



    210296691IRF9630SPBFVishay IntertechnologiesMOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
    		2100

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    210296690IRF9630SPBFVISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    		0

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    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current6.5 A
    Maximum Drain Source Voltage200 VPackage TypeD2PAK (TO-263)
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance800 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation3 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width9.02Transistor MaterialSi
    Number of Elements per Chip1Maximum Operating Temperature+150 °C
    Typical Gate Charge @ Vgs29 nC @ 10 VLength10.67
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight4.83







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