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IRF9610SPBF
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    제품정보
    대표부품번호:

    IRF9610SPBF

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: P CH MOSFET, -200V, 1.8A, D2-PAK

    기술자료
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    3772666
    		IRF9610SPBFVISHAYMOSFET, P-CH, 200V, 1.8A, TO-263
    		938

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     업데이트: 2024-02-14

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    2000~971 원 (1,068 원)



    210365992IRF9610SPBFVISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
    		1720

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    2000~1,253 원 (1,378 원)
    5000~1,207 원 (1,328 원)



    150182649IRF9610SPBFVishay/SiliconixP CH MOSFET, -200V, 1.8A, D2-PAK
    		2586

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    500~1,617 원 (1,779 원)
    1000~1,256 원 (1,382 원)
    2000~1,167 원 (1,284 원)
    5000~1,165 원 (1,282 원)



    1831565331IRF9610SPBFVISHAYIRF9610SPBF P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Vishay
    		1

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    1705559429IRF9610SPBFVISHAYIRF9610SPBF P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Vishay
    		1

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     업데이트: 2023-04-25

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    5~2,624 원 (2,886 원)



    212962425IRF9610SPBFVISHAY SILICONIXPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3
    		500

    해외 재고
    		 업데이트: 2023-04-25



    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위    		수량별 판매단가
    （부가세 포함가)    		주문수량주문/견적
    21211935IRF9610SPBFVISHAYP CH MOSFET, -200V, 1.8A, D2-PAK
    		0

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     업데이트: 2018-12-10





    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current1.8 A
    Maximum Drain Source Voltage200 VPackage TypeD2PAK (TO-263)
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance3 ΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation3 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width9.65Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength10.67
    Typical Gate Charge @ Vgs11 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight4.83







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