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FQD13N06LTM
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    제품정보
    대표부품번호:

    FQD13N06LTM

    대표브랜드: ON SEMICONDUCTOR
    대표부품설명: MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3

    기술자료
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    1829930877FQD13N06LTMON SEMICONDUCTORTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
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     업데이트: 2024-03-26

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    1829365197FQD13N06LTMON SEMICONDUCTORTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
    5000

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    1829365196FQD13N06LTMON SEMICONDUCTORTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
    3665

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    1829049727FQD13N06LTMON SEMICONDUCTORTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
    2397

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    2454166
    FQD13N06LTMFARCHILDMOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3
    3824

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    212621661FQD13N06LTMONSEMIMosfet, N Ch, 60V, 11A, To-252Aa-3, Channel Type
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    3824

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    210145724FQD13N06LTMON SEMICONDUCTORMOSFET N-CH 60V 11A DPAK
    6267

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    500~510 (561)
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    2500~387 (426)
    5000~367 (404)



    213443647FQD13N06LTMONSEMITrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    12500

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    1834084474FQD13N06LTMFAIRCHILD (ON SEMICONDUCTOR)N-Channel 60 V 0.115 Ohm Surface Mount LOGIC Mosfet - TO-252-3
    0

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     업데이트: 2024-03-26






    제품스펙
    Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Mounting TypeSurface Mount
    Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
    FET TypeN-ChannelCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 5.5A, 10VFET Feature-
    Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 28W (Tc)Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
    Supplier Device PackageTO-252AAPart StatusActive
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10VVgs (Max)±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss)60 VGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 VPackagingTape & Reel (TR)







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