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- GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
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| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
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| 제품스펙 |
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| Packaging | Tube | Package / Case | TO-247-3 | | Mounting Type | Through Hole | Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | FET Type | N-Channel | | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 17.6A, 15V | | FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) | | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 4.84mA | Supplier Device Package | TO-247-3 | | Part Status | Active | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | | Vgs (Max) | +19V, -8V | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V | | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 15 V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1621 pF @ 600 V | |
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