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| 제품스펙 |
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- MOSFET, P CH, -100V, -3.6A, TO-252-3
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:-3.6A
- Drain Source Voltage Vds:-100V
- On Resistance Rds(on):0.82ohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
- Threshold Voltage Vgs:-2V
- Power Dissipation Pd:25W
- Transistor Case Style:TO-252
- No. of Pins:3
- Operating Temperature Max:150°C
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
- Operating Temperature Min:-55°C
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
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| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Channel Type | P | Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A | | Maximum Drain Source Voltage | 100 V | Package Type | DPAK (TO-252) | | Mounting Type | Surface Mount | Pin Count | 3 | | Maximum Drain Source Resistance | 1.05 Ω | Channel Mode | Enhancement | | Minimum Gate Threshold Voltage | 2 | Maximum Power Dissipation | 25 W | | Transistor Configuration | Single | Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | | Typical Gate Charge @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | Transistor Material | Si | | Maximum Operating Temperature | +150 °C | Length | 6.73 | | Width | 6.22 | Number of Elements per Chip | 1 | | Height | 2.39 | Minimum Operating Temperature | -55 °C | | Series | QFET |
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