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| 제품스펙 |
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- MOSFET, N-CH, 650V, 9A, TO-220FP
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:9A
- Drain Source Voltage Vds:650V
- On Resistance Rds(on):0.43ohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
- Threshold Voltage Vgs:4V
- Power Dissipation Pd:25W
- Transistor Cas
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| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Channel Type | N | Maximum Continuous Drain Current | 9 A | | Maximum Drain Source Voltage | 710 V | Package Type | TO-220FP | | Mounting Type | Through Hole | Pin Count | 3 | | Maximum Drain Source Resistance | 480 mΩ | Channel Mode | Enhancement | | Maximum Gate Threshold Voltage | 5 | Minimum Gate Threshold Voltage | 3 | | Maximum Power Dissipation | 25 W | Transistor Configuration | Single | | Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V | Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V | | Width | 4.6 | Maximum Operating Temperature | +150 °C | | Length | 10.4 | Number of Elements per Chip | 1 | | Transistor Material | Si | Height | 16.4 | | Series | MDmesh M5 |
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