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| 제품스펙 |
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- IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 160A
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- DC Collector Current:160A
- Collector Emitter Voltage Vces:1.8V
- Power Dissipation Pd:-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV
- Transistor Case Style:Module
- No. of Pins:7
- Operating Temperature Max:175°C
- SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
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- 수동소자, 소캣, LED제품 절대 교환, 취소, AS 불가
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
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| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| IGBT Module | | Type | SKM100GB12T4 | | Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) | 2.05 V | Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 1.2 kV | | Continuous Collector Current (Ic) | 160 A | Emitter Leakage Current | 1 mA | | Energy Dissipation During Make-Time | 15 mJ | Energy | | |
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