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SQ2361EES-T1-GE3
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제품정보
대표부품번호:

SQ2361EES-T1-GE3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET, P-CH, -60V, -2.5A, SOT-23-3

기술자료


 




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212682366SQ2361EEST1GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D),
3000

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 업데이트: 2024-05-17



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213467221SQ2361EES-T1-GE3VISHAY SILICONIX60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V | Siliconix / Vish
0

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 업데이트: 2024-05-17





제품스펙
Channel TypePMaximum Continuous Drain Current2.5 A
Maximum Drain Source Voltage60 VPackage TypeSOT-23
Mounting TypeSurface MountPin Count3
Maximum Drain Source Resistance310 mΩChannel ModeEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage1.5Maximum Power Dissipation2 W
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VLength3.04
Width1.4Maximum Operating Temperature+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs11.2 nC @ 10 VMinimum Operating Temperature-55 °C
Height1.02SeriesSQ Rugged
Number of Elements per Chip1







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