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SIA449DJ-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SIA449DJ-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A

    기술자료
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    3772805
    SIA449DJ-T1-GE3VISHAYMOSFET, P-CH, 30V, 12A, POWERPAK SC70
    11365

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    213480220SIA449DJ-T1-GE3VISHAY SILICONIX
    88206

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    213480221SIA449DJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
    13977

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    3000~208 (229)
    9000~193 (212)



    1831681695SIA449DJ-T1-GE3VISHAYSIA449DJ-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 10.4 A, 30 V TrenchFET, 6-Pin SOT-363 (SC-70) Vishay
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    1827145097
    생산용 포장
    SIA449DJ-T1-GE3VISHAYTrans MOSFET P-CH 30V 10.4A
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    1826608012SIA449DJ-T1-GE3VISHAYTrans MOSFET P-CH 30V 10.4A
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    213480223SIA449DJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
    9000

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    1834418701SIA449DJ-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single P-Channel 30 V 0.038 Ohm 35 nC 3.5 W Silicon Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
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    제품스펙
    tariffCode85412900rohsCompliantYES
    hazardousfalserohsPhthalatesCompliantYES
    Rds(on) Test Voltage10VTransistor Case StylePowerPAK SC-70
    Gate Source Threshold Voltage Max1.5VNo. of Pins6Pins
    usEccnEAR99Drain Source Voltage Vds30V
    Product RangeTrenchFETeuEccnNLR
    Channel TypeP ChannelPower Dissipation19W
    Qualification-productTraceabilityNo
    Continuous Drain Current Id12AOperating Temperature Max150°C
    Transistor MountingSurface MountDrain Source On State Resistance0.0155ohm
    SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)







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