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SI9945BDY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI9945BDY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC

    기술자료
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    1834120675SI9945BDY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
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    1829988977SI9945BDY-T1-GE3VISHAYMOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC
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    3879334
    SI9945BDY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 60V, 5.3A, SOIC
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    1794822
    SI9945BDY-T1-GE3VISHAYMOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC
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    1837003690SI9945BDY-T1-GE3VISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8
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    1822804167SI9945BDY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC
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    152462139SI9945BDY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC
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    1831681675SI9945BDY-T1-GE3VISHAYSI9945BDY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    1827145090
    생산용 포장
    SI9945BDY-T1-GE3VISHAYMOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC
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    1826608005SI9945BDY-T1-GE3VISHAYSI9945BDY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    210819721SI9945BDY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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    210819722SI9945BDY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, Dual N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on)
    5000

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    210819724SI9945BDY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
    2660

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    1834995666SI9945BDY-T1-GE3VISHAYDUAL N-CH 60V 5,3A 58mOhm SO-8
    2500

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    1836736315SI9945BDY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)SILICONIX (VISHAY)
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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current5.3 A
    Maximum Drain Source Voltage60 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance72 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1Maximum Power Dissipation3.1 W
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Typical Gate Charge @ Vgs13 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Number of Elements per Chip2Maximum Operating Temperature+150 °C
    Width4Length5
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.5







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