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SI8487DB-T1-E1
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI8487DB-T1-E1

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, P-CH, 30V, 7.7A, MFOOT

    기술자료
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    1837003648SI8487DB-T1-E1VISHAYTransistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
    2885

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     업데이트: 2024-05-16

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    213466953SI8487DB-T1-E1VISHAY SILICONIX
    2037

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    6000~314 (345)



    213466954SI8487DB-T1-E1Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
    1352

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    9000~287 (316)



    212488930SI8487DB-T1-E1Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
    39000

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    1834418632SI8487DB-T1-E1SILICONIX (VISHAY)SILICONIX (VISHAY)
    0

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     업데이트: 2024-05-16






    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current6.2 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeMICRO FOOT
    Mounting TypeSurface MountPin Count4
    Maximum Drain Source Resistance45 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage0.6Maximum Power Dissipation2.7 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
    Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1
    Width1.6Length1.6
    Typical Gate Charge @ Vgs52 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CSeriesTrenchFET
    Height0.31







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