전체일치
 
 (주)레오콤은 당일출하 상품(재고)을 제외하곤 모두 수입품이므로 매장 방문전 확인 바랍니다.
제품전체 > 트랜지스터 > MOSFET > SI7615ADN-T1-GE3 > SIMENS

SI7615ADN-T1-GE3
  • 참조용이미지, 기술자료 반드시 확인요 ! 

    제품정보
    대표부품번호:

    SI7615ADN-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, P-CH, 20V, PPAK-1212-8

    기술자료
    PDF 아이콘   




    제품구매
    제품스펙
    연관제품
    FAQ
    상품평
    상품문의
    배송/교환/환불
     


    * 동일한 제품이 여러개 보이는 이유: 재고위치 공급사에 따라 가격/납기가 다릅니다. 부품번호와 제조사가 일치하면 동일 제품입니다.
    * 수량별 판매단가는 관세및 제비용포함이며 주문가능수량보다 많은 수량 구입을 원하시면 견적요청 버튼을 눌러주세요.

    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위
    수량별 판매단가
    (부가세 포함가)
    주문수량주문/견적
    1829776411SI7615ADN-T1-GE3VISHAYTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
    19355

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 389
     주문배수 수량 : 389
    389~567 (624)
    500~499 (549)
    1000~411 (452)
    3000~382 (420)
    6000~343 (377)



    1825833868SI7615ADN-T1-GE3VISHAYMOSFET, P-CH, 20V, PPAK-1212-8
    34757

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-12

     최소주문 수량 : 120
     주문배수 수량 : 1
    120~710 (781)
    500~600 (660)
    1000~430 (473)
    5000~390 (429)



    2283654
    SI7615ADN-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, P-CH, 20V, PPAK-1212-8
    12877

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 5
     주문배수 수량 : 5
     패키지 단위 : 1
    5~847 (932)
    50~722 (794)
    100~595 (655)
    500~425 (468)
    1500~416 (458)



    1837003616SI7615ADN-T1-GE3VISHAYTransistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
    3677

    해외 재고
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
    1~1,010 (1,111)
    5~704 (774)
    25~612 (673)
    100~555 (611)



    213431669SI7615ADN-T1-GE3VISHAY SILICONIX
    60126

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
     포장 : 컷테이프
    1~1,062 (1,168)
    10~921 (1,013)
    100~638 (702)
    500~533 (586)
    1000~453 (498)
    3000~404 (444)
    6000~383 (421)



    1824220834SI7615ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET, P-CH, 20V, PPAK-1212-8
    71085

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
    1~1,015 (1,117)
    10~875 (963)
    100~616 (678)
    500~525 (578)
    1000~430 (473)
    3000~377 (415)
    6000~364 (400)



    1831681335SI7615ADN-T1-GE3VISHAYSI7615ADN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
    배송비4만원 20만원무료배송
    9940

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 3000
     주문배수 수량 : 3000
    3000~393 (432)
    6000~385 (424)
    12000~377 (415)



    1827144784
    생산용 포장
    SI7615ADN-T1-GE3VISHAYSI7615ADN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
    배송비4만원 20만원무료배송
    9940

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 750
     주문배수 수량 : 750
    750~795 (875)
    1500~783 (861)



    1826607760SI7615ADN-T1-GE3VISHAYSI7615ADN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
    배송비4만원 20만원무료배송
    100

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13

     최소주문 수량 : 10
     주문배수 수량 : 10
    10~816 (898)
    750~795 (875)
    1500~783 (861)



    212431613SI7615ADN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
    102000

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13



    212431612SI7615ADN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
    19344

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13



    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위
    수량별 판매단가
    (부가세 포함가)
    주문수량주문/견적
    1834120612SI7615ADN-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)P-Channel 20 V 4.4 mΩ 183 nC Surface Mount Power Mosfet - PoserPAK-1212-8
    0

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-06-13






    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current35 A
    Maximum Drain Source Voltage20 VPackage TypePowerPAK 1212-8
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance9.8 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage0.4Maximum Power Dissipation52 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
    Width3.4Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength3.4
    Typical Gate Charge @ Vgs122 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.12







    맨위로