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SI5936DU-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI5936DU-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: Dual N-Channel 30 V 30 mOhm TrenchFET Power Mosfet - PPAK CHIPFET

    기술자료
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    211831040SI5936DU-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    6640

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    3000~361 (397)
    6000~342 (376)



    211831041SI5936DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
    178902

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    6000~325 (358)



    213499211SI5936DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesDual N-Ch PPAK ChipFET, RL
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    2950

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    211831043SI5936DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T
    1835

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    1834418373SI5936DU-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Dual N-Channel 30 V 30 mOhm TrenchFET Power Mosfet - PPAK CHIPFET
    0

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     업데이트: 2024-06-13






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current6 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypePowerPAK ChipFET
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance40 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1.2Maximum Power Dissipation10.4 W
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width1.98Maximum Operating Temperature+150 °C
    Number of Elements per Chip2Transistor MaterialSi
    Typical Gate Charge @ Vgs7 nC @ 10 VLength3.08
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.85







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