전체일치
 
 (주)레오콤은 당일출하 상품(재고)을 제외하곤 모두 수입품이므로 매장 방문전 확인 바랍니다.
제품전체 > 미분류 > S > SI5517DU-T1-GE3 > SIMENS

SI5517DU-T1-GE3
  • 참조용이미지, 기술자료 반드시 확인요 ! 

    제품정보
    대표부품번호:

    SI5517DU-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET Power 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V

    기술자료
    PDF 아이콘  PDF 아이콘   




    제품구매
    제품스펙
    연관제품
    FAQ
    상품평
    상품문의
    배송/교환/환불
     


    * 동일한 제품이 여러개 보이는 이유: 재고위치 공급사에 따라 가격/납기가 다릅니다. 부품번호와 제조사가 일치하면 동일 제품입니다.
    * 수량별 판매단가는 관세및 제비용포함이며 주문가능수량보다 많은 수량 구입을 원하시면 견적요청 버튼을 눌러주세요.

    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위
    수량별 판매단가
    (부가세 포함가)
    주문수량주문/견적
    3772766
    SI5517DU-T1-GE3VISHAYMOSFET, DUAL, COMPLEMENT/20V/6A/POWERPAK
    1100

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
     패키지 단위 : 1
    1~1,510 (1,661)
    10~1,249 (1,374)
    100~973 (1,070)
    500~824 (906)
    1000~632 (695)
    5000~574 (631)



    1822499775SI5517DU-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET Power 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
    1911

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
    1~1,680 (1,848)
    10~1,378 (1,516)
    100~1,072 (1,179)
    500~909 (1,000)
    1000~740 (814)
    3000~697 (767)
    6000~664 (730)



    152455205SI5517DU-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET Power 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
    6850

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
    1~1,647 (1,812)
    10~1,362 (1,498)
    100~1,060 (1,166)
    500~899 (989)
    1000~731 (804)
    3000~688 (757)
    6000~656 (722)



    212670080SI5517DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
    6000

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29



    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위
    수량별 판매단가
    (부가세 포함가)
    주문수량주문/견적
    1834120511SI5517DU-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)SILICONIX (VISHAY)
    0

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29






    제품스펙
    Channel TypeN, PMaximum Continuous Drain Current3.7 A, 7.2 A
    Maximum Drain Source Voltage20 VPackage TypePowerPAK ChipFET
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance55 mΩ, 131 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage0.4Maximum Power Dissipation8.3 W
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
    Width1.98Number of Elements per Chip2
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength3.08
    Typical Gate Charge @ Vgs10.5 nC @ 8 V, 9.1 nC @ 8 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.85





    맨위로