전체일치
 
 (주)레오콤은 당일출하 상품(재고)을 제외하곤 모두 수입품이므로 매장 방문전 확인 바랍니다.
제품전체 > 트랜지스터 > MOSFET > SI5418DU-T1-GE3 > SIMENS

SI5418DU-T1-GE3
  • 참조용이미지, 기술자료 반드시 확인요 ! 

    제품정보
    대표부품번호:

    SI5418DU-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A POWERPAK, FUL

    기술자료
    PDF 아이콘  PDF 아이콘   




    제품구매
    제품스펙
    연관제품
    FAQ
    상품평
    상품문의
    배송/교환/환불
     


    * 동일한 제품이 여러개 보이는 이유: 재고위치 공급사에 따라 가격/납기가 다릅니다. 부품번호와 제조사가 일치하면 동일 제품입니다.
    * 수량별 판매단가는 관세및 제비용포함이며 주문가능수량보다 많은 수량 구입을 원하시면 견적요청 버튼을 눌러주세요.

    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위
    수량별 판매단가
    (부가세 포함가)
    주문수량주문/견적
    212365140SI5418DU-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET N-CH 30V 12A PPAK
    1311

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
     포장 : 컷테이프
    1~1,888 (2,077)
    10~1,540 (1,694)
    100~1,198 (1,318)
    500~1,016 (1,118)
    1000~828 (911)
    3000~779 (857)
    6000~742 (816)



    152456183SI5418DU-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
    9658

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29

     최소주문 수량 : 1
     주문배수 수량 : 1
    1~1,853 (2,038)
    10~1,279 (1,407)
    100~934 (1,027)
    500~818 (900)
    1000~700 (770)
    3000~699 (769)



    상품코드 help icon부품번호제조사부품설명주문가능수량 help icon예상납기 help icon재고업데이트
    단위
    수량별 판매단가
    (부가세 포함가)
    주문수량주문/견적
    1834542088SI5418DU-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single N-Channel 30V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - POWERPAK
    0

    해외 재고
    실재고 체크
     업데이트: 2024-04-29






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current11.6 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypePowerPAK ChipFET
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance18.5 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1.2Maximum Power Dissipation31 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width1.98Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength3.08
    Typical Gate Charge @ Vgs20 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.85







    맨위로