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SI4946BEY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4946BEY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC

    기술자료
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    1829109522SI4946BEY-T1-GE3VISHAYTransistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
    843

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    2646385
    SI4946BEY-T1-GE3VISHAYMOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC
    2425

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    1822860810SI4946BEY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    19269

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    2500~788 (867)



    152455017SI4946BEY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
    8153

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    1831681043SI4946BEY-T1-GE3VISHAYSI4946BEY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    1827144695
    생산용 포장
    SI4946BEY-T1-GE3VISHAYSI4946BEY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    1826607571SI4946BEY-T1-GE3VISHAYSI4946BEY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    212823338SI4946BEY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
    35000

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    1834995606SI4946BEY-T1-GE3VISHAYDual N-CH 60V 6,5A 33mOhm SO-8
    7500

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    213329400SI4946BEY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
    1325

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    1834720099SI4946BEY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Si4946BEY Series Dual N-Channel 60 V 41 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8
    0

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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current6.5 A
    Maximum Drain Source Voltage60 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance52 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1Maximum Power Dissipation3.7 W
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width4Number of Elements per Chip2
    Maximum Operating Temperature+175 °CLength5
    Typical Gate Charge @ Vgs17 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.55







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