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SI4178DY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4178DY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 30V, 12A, SOIC

    기술자료
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    210751995SI4178DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
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    2646381
    SI4178DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 12A, SOIC
    2411

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    3642
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    1829109506SI4178DY-T1-GE3VISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
    2493

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    210751993SI4178DY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
    833

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    1824220871SI4178DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET, N-CH, 30V, 12A, SOIC
    7474

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    1831680960SI4178DY-T1-GE3VISHAYSI4178DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    1826607503SI4178DY-T1-GE3VISHAYSI4178DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    1827144625
    생산용 포장
    SI4178DY-T1-GE3VISHAYSI4178DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    210751996SI4178DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
    47500

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    170635321SI4178DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 12A, SOIC
    22500

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    1834995583SI4178DY-T1-GE3VISHAYN-CH 30V 12A 21mOHm SO-8
    5000

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    1834542031SI4178DY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
    0

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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current12 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance33 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1.4Maximum Power Dissipation5 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
    Length5Transistor MaterialSi
    Number of Elements per Chip1Maximum Operating Temperature+150 °C
    Typical Gate Charge @ Vgs7.5 nC @ 10 VWidth4
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.55







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