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SI4168DY-T1-GE3
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제품정보
대표부품번호:

SI4168DY-T1-GE3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET Power 30V 24A 5.7W

기술자료
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213495539SI4168DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
1300

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500~740 (814)



213495538SI4168DY-T1-GE3VISHAY SILICONIX
26147

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2500~692 (761)
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150199336SI4168DY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET Power 30V 24A 5.7W
3570

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2500~666 (733)
5000~656 (722)



213495541SI4168DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
10000

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213495540SI4168DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
1300

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1836735843SI4168DY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)SILICONIX (VISHAY)
0

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제품스펙
Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current24 A
Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeSOIC
Mounting TypeSurface MountPin Count8
Maximum Drain Source Resistance7.6 mΩChannel ModeEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage1Maximum Power Dissipation5.7 W
Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Width4Number of Elements per Chip1
Maximum Operating Temperature+150 °CLength5
Typical Gate Charge @ Vgs29 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.55







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