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SI4056DY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4056DY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8

    기술자료
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    2364057
    SI4056DY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8
    15137

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    1000~541 (595)
    5000~493 (542)



    213498083SI4056DY-T1-GE3VISHAY SILICONIX
    3832

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    212546868SI4056DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4058DY-T1-GE3
    109

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    1831680948SI4056DY-T1-GE3VISHAYSI4056DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 11.1 A, 100 V ThunderFET, 8-Pin SOIC Vishay
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    1826607489SI4056DY-T1-GE3VISHAYSI4056DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 11.1 A, 100 V ThunderFET, 8-Pin SOIC Vishay
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    1827144610
    생산용 포장
    SI4056DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8
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    625~1,147 (1,262)
    1250~1,129 (1,242)



    212546870SI4056DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D),
    2719

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    212546869SI4056DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4058DY-T1-GE3
    2500

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    1834418093SI4056DY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Si4056DY Series N-Channel 100 V 23 mOhm 5.7 W SMT Power Mosfet - SOIC-8
    0

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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current11.1 A
    Maximum Drain Source Voltage100 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance31 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1.5Maximum Power Dissipation5.7 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1
    Length5Typical Gate Charge @ Vgs19.6 nC @ 10 V
    Transistor MaterialSiMinimum Operating Temperature-55 °C
    SeriesThunderFETHeight1.5
    Width4







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