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SI1029X-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI1029X-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 60V, SC-89

    기술자료
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    2101477
    SI1029X-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, NP CH, 60V, SC-89
    7340

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    500~378 (416)
    1500~298 (328)



    1822495916SI1029X-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET N/P-CH 60V SC89-6
    14391

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    6000~230 (253)



    152452238SI1029X-T1-GE3Vishay/SiliconixDUAL N/P CHANNEL MOSFET, 60V, SC-89
    72131

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    1000~271 (298)
    3000~217 (239)
    9000~206 (227)



    1826607397SI1029XT1GE3VISHAYSI1029X-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-523 Vishay
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    1827144520
    생산용 포장
    SI1029XT1GE3VISHAYDUAL N/P CHANNEL MOSFET, 60V, SC-89
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    213480405SI1029X-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
    210000

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    213480403SI1029X-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89
    36000

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     업데이트: 2024-06-01



    213480406SI1029XT1GE3Vishay IntertechnologiesCOMPLEMENTARY N-AND P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET S
    6000

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     업데이트: 2024-06-01



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    1834541887SI1029X-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Dual N & P Channel 60 V 1.4 / 4 Ohm Surface Mount Mosfet - SC-89-6
    0

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    제품스펙
    Channel TypeN, PMaximum Continuous Drain Current190 mA, 300 mA
    Maximum Drain Source Voltage60 VPackage TypeSC-89-6
    Mounting TypeSurface MountPin Count6
    Maximum Drain Source Resistance3 Ω, 8 ΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1Maximum Power Dissipation250 mW
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width1.7Number of Elements per Chip2
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength1.7
    Typical Gate Charge @ Vgs1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.6







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