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FQD5P10TM
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    제품정보
    대표부품번호:

    FQD5P10TM

    대표브랜드: ON SEMICONDUCTOR
    대표부품설명: MOSFET, P CH, -100V, -3.6A, TO-252-3

    기술자료
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    2322628
    FQD5P10TMFARCHILDMOSFET, P CH, -100V, -3.6A, TO-252-3
    21

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     업데이트: 2024-05-18

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    1~1,267 (1,394)
    10~1,243 (1,367)
    100~1,217 (1,339)
    500~1,192 (1,311)
    1000~1,166 (1,283)
    5000~1,142 (1,256)



    211349795FQD5P10TMONSEMIMOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
    19922

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    10~1,175 (1,293)
    100~814 (895)
    500~680 (748)
    1000~579 (637)
    2500~516 (568)
    5000~488 (537)



    213468216FQD5P10TMFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 3.6A, 100V, 1.05oh
    80

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    212982028FQD5P10TMONSEMIP채널 100V 3.6A(Tc) 2.5W(Ta), 25W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
    0

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     업데이트: 2024-05-18





    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current2.3 A
    Maximum Drain Source Voltage100 VPackage TypeDPAK (TO-252)
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance1.05 ΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation25 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
    Typical Gate Charge @ Vgs6.3 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength6.73
    Width6.22Number of Elements per Chip1
    Height2.39Minimum Operating Temperature-55 °C
    SeriesQFET







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