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DMN63D8LDW-7
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    제품정보
    대표부품번호:

    DMN63D8LDW-7

    대표브랜드: Diodes
    대표부품설명: MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 30V, SOT363

    기술자료
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    1834258592DMN63D8LDW-7DIODES INC.Dual N-Channel 30 V 2.8 Ω 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
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    120000~43 (47)



    1829776357DMN63D8LDW-7DiodesMOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 30V, SOT363
    138000

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    1825832652DMN63D8LDW-7DiodesMOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 30V, SOT363
    24000

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    2543518
    DMN63D8LDW-7DIODES INC.MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 30V, SOT363
    52044

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    210751490DMN63D8LDW-7DIODES INCORPORATEDMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    125395

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    210751493DMN63D8LDW-7DIODES INCORPORATEDMOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
    195694

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    24000~53 (58)



    210751495DMN63D8LDW-7Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
    4317000

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     업데이트: 2024-06-13



    1834952297DMN63D8LDW-7Diodes IncN+N CH MOS+ESD 30V 0,22A SOT363
    6000

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    1836667761DMN63D8LDW-7DIODES INC.DIODES INC.
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    제품스펙
    Maximum Gate Threshold Voltage1.5Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current260 mAMaximum Drain Source Voltage30 V
    Package TypeSOT-363 (SC-88)Mounting TypeSurface Mount
    Pin Count6Maximum Drain Source Resistance13 Ω
    Channel ModeEnhancementMaximum Power Dissipation400 mW
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width1.35Transistor MaterialSi
    Typical Gate Charge @ Vgs0.87 nC @ 10 VNumber of Elements per Chip2
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength2.2
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1







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