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DMN3018SSD-13
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    제품정보
    대표부품번호:

    DMN3018SSD-13

    대표브랜드: Diodes
    대표부품설명: DMN3018SSD-13 N-Channel MOSFET, 8.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc

    기술자료
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    1836968747DMN3018SSD-13DIODES INCORPORATEDTransistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8
    737

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    3944102
    DMN3018SSD-13DIODES INC.MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 8.7A
    1790

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    213489954DMN3018SSD-13DIODES INCORPORATED
    29341

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    210988893DMN3018SSD-13DIODES INCORPORATEDMOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
    18371

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    1831513593DMN3018SSD-13DiodesZetexDMN3018SSD-13 N-Channel MOSFET, 8.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc
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    1826542963DMN3018SSD-13DIODES ZETEXDMN3018SSD-13 N-Channel MOSFET, 8.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc
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    1827048784
    생산용 포장
    DMN3018SSD-13DiodesZetexDMN3018SSD-13 N-Channel MOSFET, 8.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc
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    213489955DMN3018SSD-13Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 6.7A 8-Pin SO T/R
    145000

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    1834077314DMN3018SSD-13DIODES INC.DIODES INC.
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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current8.7 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance30 mΩChannel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage2.1Maximum Power Dissipation1.5 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Number of Elements per Chip1Width3.95
    Length4.95Maximum Operating Temperature+150 °C
    Typical Gate Charge @ Vgs13.2 nC @ 10 VTransistor MaterialSi
    Height1.5Minimum Operating Temperature-55 °C







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