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SI4459ADY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4459ADY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET,P CH,DIODE,30V,29A,8-SOIC

    기술자료
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    1829537715SI4459ADY-T1-GE3VISHAYMOSFET,P CH,DIODE,30V,29A,8-SOIC
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    210774479SI4459ADY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, 30V, 29A, SOIC, Transistor Polarit
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    1858953
    SI4459ADY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET,P CH,DIODE,30V,29A,8-SOIC
    12779

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    1837003606SI4459ADY-T1-GE3VISHAYTransistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
    2521

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    210774477SI4459ADY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 30V 29A 8SO
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    210774475SI4459ADY-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 30V 29A 8SO
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    150199100SI4459ADY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET,P CH,DIODE,30V,29A,8-SOIC
    25327

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    1831680998
    생산용 포장
    SI4459ADY-T1-GE3VISHAYP-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V
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    1831680996SI4459ADY-T1-GE3VISHAYP-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V
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    210774480SI4459ADY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
    17500

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    210774478SI4459ADY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
    10000

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    1834120445SI4459ADY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single P-Channel 30 V 0.005 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
    0

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    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current29 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeSO-8
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance0.0077 OChannel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage2.5Number of Elements per Chip1
    SeriesTrenchFET







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