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1N6481-E3/96
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제품정보
대표부품번호:

1N6481-E3/96

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

기술자료
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18341593831N6481-E3/96GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY)1N6481 Series 400 V 1 A 10 uA SMT Glass Passivated Junction Rectifier - DO-213AB
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2104559661N6481-E3/96Vishay IntertechnologiesDiode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
22500

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60000~137 (151)



18291846041N6481-E3/96VISHAYDIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
2882

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18369302561N6481-E3/96VISHAYDiode: rectifying; SMD; 400V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
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18222925521N6481-E3/96Vishay Semiconductor Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
21000

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18222925511N6481-E3/96Vishay Semiconductor Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
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1502496611N6481-E3/96Vishay SemiconductorsRectifiers 1.0 Amp 400 Volt
9209

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2105060181N6481-E3/96Vishay IntertechnologiesDiode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
22500

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2116439701N6481-E3/96Vishay IntertechnologiesRectifiers 1.0 Amp 400 Volt
22500

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2123708121N6481E396Vishay IntertechnologiesRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(R
6000

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18344722641N6481-E3/96GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY)1N6481 Series 400 V 1 A 10 uA SMT Glass Passivated Junction Rectifier - DO-213AB
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제품스펙
Mounting TypeSurface MountPackage TypeDO-213AB
Maximum Continuous Forward Current1Peak Reverse Repetitive Voltage400
Diode ConfigurationSingleDiode TypeSilicon Junction
Pin Count2Maximum Forward Voltage Drop1.1
Number of Elements per Chip1Diode TechnologySilicon Junction
Diameter2.67Peak Non-Repetitive Forward Surge Current30







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