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FQI7N60TU
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제품정보
대표부품번호:

FQI7N60TU

대표브랜드: ON SEMICONDUCTOR
대표부품설명: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK

기술자료
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211068599FQI7N60TUONSEMITrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tu
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1825825161FQI7N60TUFAIRCHILDMOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
1000

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211068598FQI7N60TUFairchild Semiconductor CorporationPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
1000

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1700710220FQI7N60TUFAIRCHILDMOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
900

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1000~2,073 (2,280)
2000~1,969 (2,166)
5000~1,895 (2,085)



211068601FQI7N60TUONSEMIPower Field-Effect Transistor, 7.4A, 600V, 1ohm,
3568

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211068600FQI7N60TUONSEMITrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tu
990

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150753394FQI7N60TUFAIRCHILDMOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
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제품스펙
PackagingBulkPackage / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting TypeThrough HoleOperating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)FET TypeN-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 3.7A, 10V
FET Feature-Power Dissipation (Max)3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μASupplier Device PackageI2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10VVgs (Max)±30V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 VGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1430 pF @ 25 V





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